IGBT概念板块指数微跌,个股涨跌互现,行业应用广泛
27日收盘,IGBT概念概念板块指数报815.24点,跌幅0.66%,成交287.2亿元,换手2.60%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:利欧股份报4.23元,跌-2.98%。台基股份报36.24元,跌-3.13%。皇庭国际报3.38元,跌-3.15%。涨幅最大的前3个股为:时代电气报46.77元,涨5.84%;ST华微报5.57元,涨5.09%;黄山谷捷报59.57元,涨2.65%。
IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,它利用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中以增强型的NMOS和PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是一种电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,其作用类似于电流控制开关。